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고열전도 알루미늄 나트라이드 기판 회색 알루미늄 나트라이드 부품
| 원래 장소 | 한단 |
|---|---|
| 브랜드 이름 | TM |
| 인증 | ISO |
| 최소 주문 수량 | 1개 조각 |
| 가격 | 2$~20$ Per Piece |
| 포장 세부 사항 | 나무로 되는 감금소 또는 판지 상자 |
| 배달 시간 | 15-20 근무일 |
| 지불 조건 | 티/티 |
| 공급 능력 | 1주일에 200개 부분 |
제품 상세 정보
| 제품명 | 알루미늄 질화물 기판 | 재료 유형 | 알루미늄 질화물 (AlN) |
|---|---|---|---|
| 청정 | 95%-99% | 녹는점 | 2200 °C |
| 밀도 | 3.26g/cm³ | 열전도율 | 170-260W/(m·K) |
| 유전 상수 | 8.9(1MHz) | 색상 | 회색 |
| 용인 | 최대 ±0.005mm | 표면 거칠기 | Ra0.4±0.1μm |
| 애플리케이션 | 전자제품, 반도체 패키징 | ||
| 강조하다 | 고열전도 알루미늄 나이트라이드 기판,회색 알루미늄 나트라이드 부품,알루미늄 나이트라이드 부품 높은 열 전도성 |
||
제품 설명
고열전도 알루미늄 나이트라이드 ALN 세라믹 서브스트라트
알루미늄 질산, 공식 AlN은 기술 세라믹 가족에 새로운 재료이며, 헥사그널 결정 구조와 함께 코발렌스 결합 물질입니다.AlN은 뛰어난 열,기계적 및 전기적 특성, 높은 열전도, 낮은 다이 일렉트릭 상수, 높은 전기 저항성, 낮은 밀도 및 실리콘과 잘 일치하는 열 확장 계수.
알루미늄 나이트라이드 (AlN) 세라믹 부품은 예외적으로 높은 열전도성과 우수한 전기 단열을 제공합니다. 전력 전자 및 반도체 장비에서 널리 사용됩니다.AlN는 베릴륨 산화물 (BeO) 의 비독성 대체물로서 작용합니다.그것은 주로 기판, 크라이블, 정전적 턱 및 맞춤형 구조 구성 요소로 제조됩니다.
고 성능 의 알루미늄 나이트라이드 세라믹 으로 제작 된 이 히트 싱크 는 높은 열 전도성 과 우수한 전기 단열력 을 갖추고 있다.그 열 확장 계수는 실리콘 칩과 비슷합니다., 장기적인 신뢰성을 위해 열주기 스트레스를 줄입니다. 사용자 정의 크기에 정밀 기계화되어 전력 전자 장치에 효율적인 열 분비를 제공합니다.반도체 및 고전력 LED 장치.
| AlN 재료 속성 | 알루미늄 나트라이드 |
| 순수성 | 95%~99% |
| 밀도 | 3.3g/cm3 |
| 열전도성 | ~180W/m*K |
| 열 확장 | <4.2x10−6/°C |
| 다이 일렉트릭 강도 | >15kv/mm |
| 다이 일렉트릭 상수 | 8.7@1Mhz |
| 부피 저항성 | >1014 |
| 굽기 힘 | 320Mpa |
핵심 특성 및 장점
열전도성:
170~260W/m·K 사이, 민감한 전자 및 고온 시스템에서 열을 빠르게 끌어당깁니다.
CTE 일치:
열 팽창 계수는 실리콘 웨이퍼와 밀접하게 일치하여 작업 중에 기계적 스트레스를 줄입니다.
안전성:
베릴륨 산화물과 달리, AlN는 가공 시 건강에 위험하지 않으며, 안전한 고성능 열 관리를 위한 산업 표준이 됩니다.
기계적 강도:
부식성 환경과 고온 환경에서도 구조적 무결성과 높은 다이 일렉트릭 저항을 유지합니다.
표준 응용 프로그램
독특한 프로파일 때문에, AlN 구성 요소는 크게 의존됩니다:
● 전력 반도체: IGBT 모듈, MOSFET, 티리스터 전력 포장 기판
●고전력 전자제품: LED 고전력 조명, 레이저 장치, 전원 공급 열 분산판
●신에너지 산업: 신에너지 차량 전원 모듈, 태양광 인버터 부품
●통신 및 RF 장치: 고주파 통신 기지 스테이션 부품, 마이크로 웨브 전자 집합
●고전력 전자제품: LED 고전력 조명, 레이저 장치, 전원 공급 열 분산판
●신에너지 산업: 신에너지 차량 전원 모듈, 태양광 인버터 부품
●통신 및 RF 장치: 고주파 통신 기지 스테이션 부품, 마이크로 웨브 전자 집합