Kontak Person : Jason Jia
Nomor telepon : +86 15811322669
Ada apa : +8615811322669

Substrat Aluminium Nitrida Konduktivitas Termal Tinggi Bagian Aluminium Nitrida Abu-abu

Tempat asal Handan
Nama merek TM
Sertifikasi ISO
Kuantitas min Order 1 buah
Harga 2$~20$ Per Piece
Kemasan rincian Kandang Kayu Atau Kotak Karton
Waktu pengiriman 15-20 hari kerja
Syarat-syarat pembayaran T/T
Menyediakan kemampuan 200 Potongan per minggu
Detail produk
Nama Produk Substrat Aluminium Nitrida Jenis bahan Aluminium Nitrida (AlN)
Kemurnian 95%-99% Titik lebur 2200 °C
Kepadatan 3,26 gram/cm³ Konduktivitas Termal 170-260 W/(m·K)
Konstanta dielektrik 8,9 (1MHz) Warna Abu-abu
Toleransi Hingga ±0,005mm Kekasaran Permukaan Ra0,4±0,1μm
Aplikasi Elektronik, Kemasan Semikonduktor
Menyoroti

Substrat Aluminium Nitrida Konduktivitas Termal Tinggi

,

Bagian Aluminium Nitrida Abu-abu

,

Bagian Aluminium Nitrida Konduktivitas Termal Tinggi

Tinggalkan pesan
Deskripsi Produk

Substrat Keramik ALN Aluminium Nitride Konduktivitas Termal Tinggi

 

 

Aluminium Nitride, rumus AlN adalah bahan yang lebih baru dalam keluarga keramik teknis, dan bahan yang terikat kovalen dengan struktur kristal heksagonal.AlN memiliki termal yang sangat baik,sifat mekanik dan listrik, seperti konduktivitas termal yang tinggi, konstanta dielektrik yang rendah, resistivitas listrik yang tinggi, kepadatan rendah dan koefisien ekspansi termal yang cocok dengan silikon.

 

Bagian keramik Aluminium Nitride (AlN) memberikan konduktivitas termal yang sangat tinggi dan isolasi listrik yang sangat baik.AlN bertindak sebagai pengganti beryllium oxide (BeO) yang tidak beracunHal ini terutama diproduksi menjadi substrat, crucibles, electrostatic chucks, dan komponen struktural yang disesuaikan.

 

Terbuat dari keramik aluminium nitrida berkinerja tinggi, heat sink ini memiliki konduktivitas termal yang tinggi dan isolasi listrik yang sangat baik.Koefisien ekspansi termalnya sangat cocok dengan chip silikon, mengurangi tekanan siklus termal untuk keandalan jangka panjang.Semikonduktor dan perangkat LED bertenaga tinggi.

 

Substrat Aluminium Nitrida Konduktivitas Termal Tinggi Bagian Aluminium Nitrida Abu-abu

 

AlN Sifat Bahan Aluminium nitrida
Kemurnian 95%-99%
Kepadatan 3.3g/cm3
Konduktivitas Termal ~180W/m*K
Ekspansi Termal < 4,2x10−6/°C
Kekuatan Dielektrik > 15kv/mm
Konstan Dielektrik 8.7@1Mhz
Resistivitas Volume >1014
Kekuatan Flexural 320Mpa

 

Substrat Aluminium Nitrida Konduktivitas Termal Tinggi Bagian Aluminium Nitrida Abu-abu

Sifat & Keuntungan Utama
Konduktivitas termal:
Jangkauan antara 170 - 260 W/m·K, dengan cepat menarik panas dari sistem elektronik sensitif dan suhu tinggi.
CTE yang cocok:
Koefisien Ekspansi Termal sangat cocok dengan wafer silikon, mengurangi tekanan mekanik selama operasi.
Keamanan:
Berbeda dengan Beryllium Oxide, AlN tidak berbahaya bagi kesehatan ketika dikerjakan, menjadikannya standar industri untuk pengelolaan panas berkinerja tinggi yang aman.
Kekuatan mekanik:
Menjaga integritas struktural dan ketahanan dielektrik yang tinggi bahkan di lingkungan korosif dan suhu tinggi.
Substrat Aluminium Nitrida Konduktivitas Termal Tinggi Bagian Aluminium Nitrida Abu-abu
 
 
Aplikasi Standar
Karena profilnya yang unik, komponen AlN sangat bergantung pada:
● Semikonduktor tenaga: modul IGBT, MOSFET, substrat kemasan daya tiristor
●Elektronik bertenaga tinggi: pencahayaan bertenaga tinggi LED, perangkat laser, pelat dissipasi panas pasokan listrik
●Industri Energi Baru: Modul daya kendaraan energi baru, komponen inverter fotovoltaik
●Perangkat Komunikasi & RF: Komponen stasiun dasar komunikasi frekuensi tinggi, perakitan elektronik gelombang mikro

Substrat Aluminium Nitrida Konduktivitas Termal Tinggi Bagian Aluminium Nitrida Abu-abu