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熱衝撃抵抗窒化ケイ素セラミックス精密加工窒化ケイ素ロッドカスタム
| 起源の場所 | 邯鄲 |
|---|---|
| ブランド名 | Norcera |
| 証明 | ISO9001 |
| 最小注文数量 | 1個 |
| 価格 | $1.5~$5000 Per Piece |
| パッケージの詳細 | 木製ケージまたは重いカートン |
| 受渡し時間 | 10～15営業日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | 月あたり 2000 個 |
商品の詳細
| タイプ | カスタムセラミックロッド/チューブ/バー | 重さ | サイズと材料の密度によって異なります |
|---|---|---|---|
| 材料 | 窒化ケイ素 | 耐久性 | 高温条件下でも高い耐久性 |
| 容量 | 数ミリリットルから数リットルまでの範囲 | 耐熱衝撃性 | 高い |
| 許容範囲 | ±0.02mm | 表面粗さ | Ra0.3 |
| 耐薬品性 | 酸、アルカリ、溶融金属に対する耐性 | 耐熱性 | 1600℃以上まで |
| 形 | カスタマイズされた | サイズ | さまざまなサイズをご用意 |
| 使用法 | 溶解、焼成、化学反応 | 色 | 通常は黒またはグレー |
| 仕上げる | 滑らかな内面で注ぎやすい | ||
| ハイライト | 熱衝撃抵抗窒化ケイ素ロッド,窒化ケイ素セラミックス精密加工,窒化ケイ素ロッドカスタム |
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製品の説明
耐熱衝撃性加工 Si3N4 窒化ケイ素セラミックチューブロッド
窒化ケイ素セラミック部品:
窒化ケイ素（Si3N4）は、最も高性能な技術セラミックの1つです。その特性には、低密度、優れた曲げ強度、および高い最高使用温度や破壊靭性を含む耐熱衝撃性が含まれます。これらの強みにより、ポンプ部品、エンジン部品、石油化学産業部品、航空宇宙部品としての使用に最適です。
Si3N4セラミック部品は、いくつかの異なる化学反応方法で合成される人工化合物です。それらは、独自の優れた特性を持つセラミックを製造するために、十分に開発された方法でプレスおよび焼結されます。材料は暗灰色から黒色で、非常に滑らかな反射面まで研磨でき、印象的な外観の部品を提供します。
窒化ケイ素（Si₃N₄）ロッドは、等方圧プレスと高温焼結によって製造されるプレミアム先進構造セラミックです。高強度、優れた破壊靭性、優れた耐摩耗性、自己潤滑性を特徴としています。1200℃まで安定した機械的性能を維持し、優れた耐熱衝撃性、低い熱膨張率、酸、アルカリ、溶融非鉄金属に対する優れた耐食性を備えています。
カスタム加工サービスを提供します：厳しい寸法公差、平面研削、面取り、ねじ切り、穴あけ、特殊プロファイル。試作品および量産に対応可能です。
窒化ケイ素材料シート
| 特性 | 単位 | シリコーンナイトライド | |
| 機械的 | 密度 | gm/cc | 3.2 |
| 気孔率 | % | 0 | |
| 曲げ強度 | Mpa | 830 | |
| 圧縮強度 | Mpa | 2500 | |
| 弾性率 | Gpa | 310 | |
| ポアソン比 | / | 0.27 | |
| 硬度 | kg/mm2 | 1580 | |
| 破壊靭性 KIC | Mpa *m 1/2 | 6.1 | |
| 熱 | 熱伝導率 | W/ m*k | 30 |
| 熱膨張係数 | 10⁻⁶/K | 3.3 | |
| 比熱 | j/kg*K | / | |
| 耐熱衝撃性 | °C | / | |
| 最高使用温度 | °C | 1400 | |
| 電気的 | 絶縁破壊強度 | ac-kv/mm | / |
| 誘電率 | / | 8 | |
| 損失正接 | / | / | |
| 体積抵抗率 | ohm・cm | >1014 | |
特徴:
● 高硬度
窒化ケイ素は非常に高い硬度を示し、耐摩耗工具や切削工具などの分野に適しています。
● 優れた耐摩耗性
窒化ケイ素セラミックは優れた耐摩耗性を示し、高摩耗環境での用途に適しています。
● 優れた絶縁性能
窒化ケイ素セラミックは優れた電気絶縁特性と化学的安定性を備えており、エレクトロニクスおよび半導体産業で広く使用されています。
● 高温安定性
高温環境下で安定性を維持できるため、高温ヒーターや炉などの用途に適しています。
用途:
回転ボールベアリングおよびローラーベアリング
切削工具
エンジン部品：バルブ、ロッカーアームパッド、シール面
誘導加熱コイルサポート
タービンブレード、ベーン、バケット
溶接およびろう付け治具
発熱体部品
るつぼ
金属管成形ロールおよびダイ
TIG / プラズマ溶接ノズル
溶接ポジショナー
高摩耗環境における精密シャフトおよびアクスル
熱電対シースおよびチューブ
半導体プロセス装置