-
Aangepaste keramische onderdelen
-
Volledig ceramisch lager
-
Precieze keramische ballen
-
ceramisch poeder
-
Ceramische Malende Media Ballen
-
Hybride keramische lagers
-
Aluminiumoxide keramische delen
-
Zirconiumdioxyde Ceramische Delen
-
De Keramiek van het siliciumnitride
-
Siliciumcarbide keramiek
-
Aluminiumnitride keramiek
-
Keramiek van boronnitride
Precision Engineering Aluminiumnitride Keramiek Hoog warmtegeleidingsvermogen Aluminiumnitride Warmteput
| Productnaam | Aluminiumnitride koellichamen | Materiaalsoort | Aluminiumnitride (AlN) |
|---|---|---|---|
| Zuiverheid | 95%-99% | Smeltpunt | 2200 °C |
| Dikte | 3,26 g/cm³ | Thermische geleidbaarheid | 170-260 W/(m·K) |
| Diëlektrische constante | 8,9 (1 MHz) | Kleur | grijs |
| Tolerantie | Tot ±0,005 mm | Oppervlakteruwheid | Ra0,4 ± 0,1 μm |
| Sollicitatie | Elektronica, halfgeleiderverpakkingen | ||
| Markeren | Precision Engineering Aluminiumnitride Keramiek,Hoog Warmtegeleidingsvermogen Heatsink,Precision Engineering Aluminiumnitride Warmteafvoeringsbak |
||
Hoge warmtegeleidbaarheid Precision Engineering Aluminiumnitride ((ALN) Warmteafvoeringen
Aluminiumnitried, formule AlN, is een nieuw materiaal in de familie van technische keramiek, en een covalent gebonden materiaal met een zeshoekige kristallenstructuur.AlN heeft een uitstekende thermische, chemische en chemische eigenschappen.mechanische en elektrische eigenschappen, zoals hoge thermische geleidbaarheid, lage dielektrische constante, hoge elektrische weerstand, lage dichtheid en een thermische uitbreidingscoëfficiënt die goed overeenkomt met die van silicium.
Aluminiumnitride (AlN) keramische onderdelen leveren uitzonderlijk hoge thermische geleidbaarheid en uitstekende elektrische isolatie.AlN fungeert als een niet-toxische vervanging van Beryllium Oxide (BeO)Het wordt hoofdzakelijk vervaardigd in ondergronden, smeltkroesjes, elektrostatische schokken en op maat gemaakte structurele componenten.
Deze warmtezuiger is gemaakt van hoogwaardige aluminiumnitridekeramiek en heeft een hoge warmtegeleidbaarheid en een uitstekende elektrische isolatie.De thermische uitbreidingscoëfficiënt is vergelijkbaar met die van siliciumchips., waardoor de spanning van de thermische cyclus wordt verminderd voor een langdurige betrouwbaarheid.halfgeleiders en hoogvermogen LED-apparaten.
![]()
| AlN Materialen eigenschappen | Aluminiumnitride |
| Zuiverheid | 95%-99% |
| Dichtheid | 3.3 g/cm3 |
| Warmtegeleidbaarheid | ~180W/m*K |
| Thermische expansie | < 4,2 x 10−6/°C |
| Dielectrische sterkte | > 15kv/mm |
| Dielectrische constante | 8.7@1Mhz |
| Volumeweerstand | >1014 |
| Buigkracht | 320Mpa |
![]()
