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Indenteur de tige en céramique de nitrure de silicium Si₃N₄ à haute ténacité
| Taper | Arbre en céramique personnalisé | Poids | Dépend de la taille et de la densité du matériau |
|---|---|---|---|
| Matériel | Nitrure de Silicium | Durabilité | Haute durabilité dans des conditions de températures élevées |
| Résistance aux chocs thermiques | Haut | Tolérance | ±0,02 mm |
| Rugosité de la surface | Ra0,3 | Résistance chimique | Résistant aux acides, aux alcalis et aux métaux fondus |
| Résistance à la température | Jusqu'à 1400°C ou plus | Forme | Personnalisé |
| Taille | Différentes tailles disponibles | Couleur | Généralement noir ou gris |
| Finition | Surface lisse | Usage | applications industrielles, semi-conductrices et mécaniques |
| Mettre en évidence | céramiques de nitrure de silicium à haute ténacité,creuset en nitrure de silicium haute ténacité,céramiques à base de nitrure de silicium sur mesure |
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Arbre en nitrure de silicium (Si₃N₄) en céramique résistant à l'usure et à haute ténacité
Arbre en nitrure de silicium
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Les pièces en céramique Si3N4 sont un composé synthétique fabriqué par plusieurs méthodes de réaction chimique différentes. Elles sont pressées et frittées par des méthodes bien développées pour produire une céramique avec un ensemble unique de propriétés exceptionnelles. Le matériau est de couleur gris foncé à noir et peut être poli pour obtenir une surface réfléchissante très lisse, donnant aux pièces un aspect saisissant.
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■ Stabilité supérieure à haute température
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Applications principales :
Tubes de protection de four à haute température, manchons isolants de thermocouple, tubes de transport et de blindage de métal en fusion métallurgique, équipements de traitement thermique de semi-conducteurs, modules haute température pour nouvelles énergies, tuyauteries anti-corrosion chimiques et pièces structurelles isolantes industrielles à haute température.
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Fiche de matériau en nitrure de silicium
| Propriétés | Unités | Nitrure de silicium | |
| Mécanique | Densité | gm/cc | 3.2 |
| Porosité | % | 0 | |
| Résistance à la flexion | Mpa | 830 | |
| Résistance à la compression | Mpa | 2500 | |
| Module d'élasticité | Gpa | 310 | |
| Coefficient de Poisson | / | 0.27 | |
| Dureté | kg/mm2 | 1580 | |
| Ténacité à la fracture KIC | Mpa *m 1/2 | 6.1 | |
| Thermique | Conductivité thermique | W/ m*k | 30 |
| Coefficient de dilatation thermique | 10⁻⁶/K | 3.3 | |
| Chaleur spécifique | j/kg*K | / | |
| Résistance aux chocs thermiques | °C | / | |
| Température d'utilisation max | °C | 1400 | |
| Électrique | Rigidité diélectrique | ac-kv/mm | / |
| Constante diélectrique | / | 8 | |
| Facteur de perte | / | / | |
| Résistivité volumique | ohm•cm | >1014 | |
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Caractéristiques :
● Haute dureté
Le nitrure de silicium présente une dureté extrêmement élevée, ce qui le rend adapté aux domaines tels que les outils de coupe et résistants à l'usure.
● Excellente résistance à l'usure
La céramique de nitrure de silicium présente une résistance à l'usure exceptionnelle, ce qui la rend adaptée aux applications dans des environnements à forte usure.
● Performances d'isolation supérieures
La céramique de nitrure de silicium possède d'excellentes propriétés d'isolation électrique et une stabilité chimique, ce qui la rend largement utilisée dans les industries de l'électronique et des semi-conducteurs.
● Stabilité à haute température
Elle peut maintenir sa stabilité dans des environnements à haute température, ce qui la rend adaptée aux applications telles que les chauffages et les fours à haute température.
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Applications :
Roulements à billes et roulements à rouleaux rotatifs
Outils de coupe
Composants de moteur : soupapes, poussoirs de culbuteur, faces d'étanchéité
Supports de bobine d'induction
Aubes, aubes directrices, aubes de turbine
Gabarits de soudage et de brasage
Composants d'éléments chauffants
Creusets
Rouleaux et matrices de formage de tubes métalliques
Buses de soudage TIG / Plasma
Positionneurs de soudure
Arbres et essieux de précision dans les environnements à forte usure
Gaines et tubes de thermocouple
Équipements de processus de semi-conducteurs
